給出了BT/FSR-F80納米復合材料TEM-EDX圖�？梢园l現，Ba與Ti幾乎全部分布于納米粒子區域，這是由于Ba與Ti只由欽酸鋇納米粒子貢獻。O主要分布于納米粒子區域，除欽酸鋇納米粒子提供O，過氧化氫、交聯劑、硅烷偶聯劑、氟硅橡膠基體中均含有O。硅烷偶聯劑接枝在BT納米粒子表面，氟硅橡膠以共價鍵錨定在BT納米粒子表面;其次，氟硅橡膠基體也存在大量Si，因此，Si分布較為平均。S主要由硅烷偶聯劑和交聯劑的琉基貢獻，前者主要分布在BT納米顆粒區域，后者則在基體中。F的唯一來源為氟硅橡膠基體中的三氟丙基，其分布狀態證明較為致密的氟硅橡膠包覆在BT納米粒子表面。高填充BT/FSR納米復合材料的介電性能為氟硅橡膠和不同三氟丙基含量BT/FSR納米復合材料的介電性能�？梢园l現，納米復合材料的介電常數隨著三氟丙基含量升高逐漸增加，同時4種納米復合材料同純硅橡膠一樣，介電常數對頻率的弱依賴性，如Fig.7a所示。在103 Hz下，氟硅橡膠介電常數僅為2.5，而88% BT/SR納米復合材料介電常數為36.2，介電常數增加約12.5倍。引入三氟丙基至納米復合材料后，BT/FSR-F30, BT/FSR-F60和BT/FSR-F80納米復合材料的介電常數依次為44.2,50.5和60.1，與氟硅橡膠相比，介電常數分別提高了約16倍、19倍和23倍，與88% BT/SR納米復合材料相比，介電常數提升了23.9，如Fig.7c所示。表明通過調控納米復合材料中基體的三氟丙基含量能有效提升其介電常數。其次，純氟硅橡膠的介電損耗較低，并表現出較弱頻率依賴性，但隨著三氟丙基占比增多，納米復合材料介電損耗增加，且其頻率依賴性逐漸增大，如Fig.7b所示。在103 Hz下，氟硅橡膠介電損耗約為0.01，雖然納米復合材料介電損耗隨著三氟丙基含量升高而增加，BT/FSR-F80納米復合材料介電損耗仍低于0.03。